碳化硅SiC属于第三代化合物半导体，与硅基材料相比具有宽禁带、高临界击穿场强、高热导率等特征。在大部分厂商完成低缺陷密度单晶生长工艺及厚单晶生长工艺研发后，碳化硅衬底的单位面积价格会降低，凸显出经济性。碳（试读）...