封面丨研究人员首创高迁移率非晶P型半导体器件

作者:杨晨
出处:科学导报2024年第27期

近日,电子科技大学研究团队首创高迁移率、稳定5b6c5ada4c159e38ff50ef778e8da175的非晶P型(空穴4KFaN1fCbQklZ7ulIsHQjp18JKEd2F8gsTywWfILQIc=)半导体器件,突破该领域20余年的研究瓶颈,进一步推动现代信息电子(试读)...